Conhecimentos de Base Recomendados

Os conhecimentos adquiridos na disciplina de Eletrotecnia, cujo objetivo e bibliografia se encontra descrito na respetiva Ficha de Disciplina.

Objetivos

Transmitir aos alunos os conhecimentos necessários à compreensão dos elementos fundamentais da electrónica.
Desenvolver capacidades de análise, projecto e execução de circuitos electrónicos de baixa complexidade

Métodos de Ensino

Exposição e de demonstração interativa do programa da unidade curricular seguida da resolução de exercícios demonstrativos da matéria estudada. Os alunos têm de demonstrar as competências adquiridas em dois testes escritos que contribuem em 70 % para a classificação final dos alunos.

Os alunos executam cinco trabalhos experimentais, em laboratório, dos quais têm de apresentar relatório escrito detalhado. Para a execução destes trabalhos os alunos têm de aplicar as competências adquiridas para
analisar e projetar alguns dos circuitos a testar no laboratório. A componente laboratorial é avaliada e contribui em 30% para a classificação final do aluno.

Estágio(s)

Não

Programa

Díodo de Junção
Conceito de Semicondutor. Semicondutor intrínseco e extrínseco. Junção PN. Junção PN não polarizada. Junção PN polarizada directamente. Junção PN polarizada inversamente. Sentido convencional da tensão e corrente no díodo. Característica V-I do díodo. Simbologia do díodo. Modelo linear por troços, Modelo linear por troços simplificado, Modelo do díodo Ideal. Aplicações do díodo. Resistência dinâmica do díodo. Díodos especiais.

Transístor de Junção Bipolar (BJT)
Transístor de junção bipolar (BJT). BJT NPN. BJT PNP. Simbologia dos transístores NPN e PNP. Sentido convencional das correntes e tensões nos BJT. Modos de operação dos transístores: ZAD (Zona Activa Directa), ZS (Zona de Saturação), ZC (Zona de Corte), ZAI (Zona Activa Inversa). Modelos do BJT para os diversos modos de operação. Efeito de Early. Curvas características do BJT, Configurações básicas de montagem do BJT e malhas de polarização. Determinação do modo de operação. Ponto de funcionamento em repouso (PFR). BJT como comutador.  Compensação do efeito de temperatura (Emissor Comum). Projecto de malhas de polarização (Emissor Comum).

Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET)
Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal N. Transístor Metal Óxido Semicondutor (MOSFET) canal P. Curvas características do MOSFET. MOSFET de enriquecimento e de depleção. Simbologias mais usadas para os FET. Sentido convencional das correntes e tensões nos FET. Modos de operação dos transístores de efeito de campo. Modelos do MOSFET para os diversos modos de operação. Determinação do modo de operação. Recta de carga estática. Ponto de Funcionamento em Repouso. Malhas de Polarização. FET como comutador. Projecto de malhas de polarização.

Demonstração de conteúdos

-

Demonstração da metodologia

-

Docente(s) responsável(eis)

Raúl de Figueiredo Cordeiro de Magalhães Correia - 2.º Semestre

Bibliografia

Robert Boylestad / Louis Nashelsky; Dispositivos Electrónicos e Teoria dos Circuitos. ISBN: ISBN: 85-216-1195-1
Adel Sedra / Kenneth Smith; Microelectronics Circuits, 1998. ISBN: ISBN: 0-19-511690-9
Manuel de Medeiros Silva; Circuitos com Transistores Bipolares e MOS, Fundação Calouste Gulbenkian. ISBN: 972-31-0840-2
Manuel de Medeiros Silva; Introdução aos circuitos eléctricos e electrónicos, Fundação Calouste Gulbenkian. ISBN: 972-31-0696-5
Acácio Amaral; Electrónica Analógica: Princípios, Análise e Projectos, Edições Silabo, 2014. ISBN: 978-972-618-767-7